OmniTools 8月5日消息，美东时间8月4日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）原型产品。该芯片采用超400层结构及新型晶圆键合架构，相较上一代V9 NAND，存储密度提升约58%，并优化读取、写入及I/O性能。
三星同步展示了业界首款zHBM与zNAND-O架构概念模型。其中zHBM将存储单元垂直堆叠于AI加速器之上，而非传统并列封装方式，旨在缩短数据传输路径、提升带宽与能效。
据三星介绍，其晶圆键合技术可实现较传统HBM5超10倍的存储密度，能源效率提升3倍，热阻降低一半以上。
