OmniTools 9月16日消息，据路透社援引匿名消息源报道，韩国存储芯片巨头SK海力士正与英特尔就在美国联合生产内存芯片进行初步磋商。潜在合作形式包括SK海力士租赁英特尔拟建的俄亥俄州工厂空间，或共同设立合资企业，并可能引入云服务提供商参与。
SK海力士向TechCrunch回应称，目前尚未敲定任何具体计划或安排。“公司正在探索多种提升全球竞争力的路径，但现阶段无任何已确定的方案，文中提及的两种情形均未作出决策。”
该公司已在印第安纳州西拉斐特投资38亿美元建设面向AI芯片的先进封装与研发中心，预计2029年量产；该厂将使用韩国本土生产的DRAM晶圆封装HBM芯片。若俄亥俄项目落地，所产内存芯片类型尚不明确。
